STH240N10F7-6是一款N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 特性： 1.漏源极电压（Vdss） : 100V 2.电流…

EV101WXM-N10是京东方 (BOE)推出的一款10.1吋a-Si TFT-LCD液晶模组产品，它装配有WLED背光，含LED驱动器背光驱动，无触摸。此产品工作温度为 -20 ~ 70C，存储温度为 -30 ~ 70C。 它的典型特征总结为: 白光LED背光，含LED驱…

编辑：ll ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10 型号：ASE60N10 品牌：ASEMI 封装：TO-263 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：17Ω 引脚数量&#xff1a…

编辑：ll 90N10-ASEMI高压MOS管90N10 型号：90N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：90A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.08Ω 引脚数量：3 芯片…

IPP023N10N5是一款N沟道MOSFET晶体管，具有以下详细参数： 额定电压：100V 额定电流：23A 导通电阻：0.023Ω 最大功率：150W 封装形式：TO-220 工作温度范围：-55℃至175℃ 输入电容&…

S29GL128N10TFI010规格 存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 技术 FLASH - NOR 存储容量 128Mb （16M x 8，8M x 16） 存储器接口 并联 写周期时间 - 字，页 100ns 访问时间 100ns 电压 - 电源 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40C ~ 85C&#x…

Neo4j官方：neosemantics (n10s): Neo4j RDF & Semantics toolkit 一、安装 1、下载 下载 扩展neosemantics jar包 将jar复制到neo4j/plugins目录下。注意：neosemantics jar包必须与Neo4J版本相匹配。https://github.com/neo4j-labs/neosemantics …

华润微 CRSQ027N10N 产品简述： 使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术 极低导通电阻RDS（导通） 优xiu的QgxRDS（on）产品（FOM） 根据JEDEC标准合格 华润微 CRSQ027N10N 应用程序： 电机控制与…