引言 宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一…

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在当今数字化时代，互联网数据安全已经成为个人、企业和组织的首要任务之一。随着信息技术的迅猛发展，网络威胁也不断演进，因此保护互联网数据安全变得尤为关键。本文将介绍一些关键方法和最佳实践，帮助您确保互联网数据的安全性。…

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